RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
73
Autour de -152% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3246
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link