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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
60
Autour de -114% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3317
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
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