RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
73
Autour de -128% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.2
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
9.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2017
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link