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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
総合得点
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
総合得点
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
73
周辺 -128% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.2
3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
6.8
1,423.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
73
32
読み出し速度、GB/s
3,510.5
9.2
書き込み速度、GB/秒
1,423.3
6.8
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2017
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