RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
73
Около -128% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.2
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.8
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
9.2
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2017
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link