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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
73
Autour de -306% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.1
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
18
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3529
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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