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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

総合得点
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 20.4
    テスト平均値
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    18 left arrow 73
    周辺 -306% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    18.1 left arrow 1,423.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    73 left arrow 18
  • 読み出し速度、GB/s
    3,510.5 left arrow 20.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,423.3 left arrow 18.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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