RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
69
Autour de -200% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3081
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMP32GX3M4X1600C10 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link