RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
69
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3081
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link