RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
69
Autour de -165% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3576
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link