RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
69
Autour de -130% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3254
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link