RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
69
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2319
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link