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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
69
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
42
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2074
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
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A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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