RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
69
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
42
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2074
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link