RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
69
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
42
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2074
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link