RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston K821PJ-MIB 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
69
Autour de -86% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2458
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link