RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
69
Autour de -123% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3642
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link