RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
69
Autour de -92% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2998
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Mushkin 991586 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link