RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
69
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2998
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Inmos + 256MB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link