RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
69
Autour de -214% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3201
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link