RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
69
Wokół strony -214% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3201
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link