RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
69
Autour de -123% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
11.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2271
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link