RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
69
Autour de -156% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3963
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link