RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
69
Autour de -53% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5.3
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
45
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
5.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
1535
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link