RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
69
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5.3
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
45
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
5.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
1535
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link