RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
66
69
Autour de -5% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
66
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
1934
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link