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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
66
69
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
66
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
1934
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
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