RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Note globale
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
68
Autour de -209% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
1,702.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,886.6
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,702.6
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
654
2611
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link