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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
68
左右 -209% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
1,702.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
22
读取速度,GB/s
3,886.6
15.9
写入速度,GB/s
1,702.6
9.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
654
2611
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
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