RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Comparez
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Note globale
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Note globale
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
60
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR5
Latence dans PassMark, ns
60
40
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.0
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2359
3014
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link