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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Comparez
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Note globale
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
46
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
16
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
39
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.4
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2660
2782
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
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Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
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Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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