RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Comparez
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Note globale
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
32
Autour de 25% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
32
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2196
3277
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link