RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
3277
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link