RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
38
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
31
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3091
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link