RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3091
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kllisre 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link