RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
38
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.6
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.6
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
17.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
4100
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link