RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
4100
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link