RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
53
Autour de 28% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
53
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2301
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link