RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
53
Por volta de 28% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
15.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
53
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
9.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2301
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link