RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
53
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
15.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
53
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2301
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link