Comparaison de la RAM Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

Note globale

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 21300

Autour de 1.2% bande passante supérieure

Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

32 38

Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

18.3 15.5

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

14.9 12.0

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2283 3149

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns