RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
比較する
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
総合得点
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
総合得点
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
21300
周辺 1.2% 高帯域
考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
38
周辺 -19% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.3
15.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.9
12.0
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
32
読み出し速度、GB/s
15.5
18.3
書き込み速度、GB/秒
12.0
14.9
メモリ帯域幅、mbps
25600
21300
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2283
3149
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link