Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

Pontuação geral
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Pontuação geral
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

Diferenças

  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 21300
    Por volta de 1.2% maior largura de banda
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    32 left arrow 38
    Por volta de -19% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    18.3 left arrow 15.5
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    14.9 left arrow 12.0
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    38 left arrow 32
  • Velocidade de leitura, GB/s
    15.5 left arrow 18.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    12.0 left arrow 14.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2283 left arrow 3149
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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