RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
60
Autour de 37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
60
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
9.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
7.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2136
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link