RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
60
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
60
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
9.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2136
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link