Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 60

Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.5 9.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.0 7.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 19200

Около 1.33% выше полоса пропускания

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 60
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 9.2
Скорость записи, Гб/сек

12.0 7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 19200

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2283 2136

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB

Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Good Wealth Technology Ltd. 8GB

Good Wealth Technology Ltd. 8GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB

Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB

модули RAM

Kingston 9905402-534.A00LF 4GB

Kingston 9905402-534.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB

Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Kingston 9905743-044.A00G 16GB

Kingston 9905743-044.A00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB

Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB

модули RAM