RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
45
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
32
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
3279
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link