RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
68
Autour de 31% latence réduite
Raisons de considérer
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
68
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
1904
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link