RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
68
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
68
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
1904
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link