RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.8
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
47
Autour de -4% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
45
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
6.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
1499
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link