RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.8
6.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
47
Около -4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
45
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
6.9
Скорость записи, Гб/сек
8.0
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
1499
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link